ACTUALITÉS TECH – Après le dirigeant de SK Hynix, une autre entreprise estime que la prochaine année pourrait devenir extrêmement difficile. Le PDG d’Apacer prévoit une baisse spectaculaire de l’offre de DRAM conventionnelle en 2027.
Rien ne paraît donc plus dévastateur qu’une puce DRAM rejetée. Alors que la mémoire à large bande passante continue d’absorber les capacités de production de wafers DDR, l’offre de DRAM pourrait chuter de 70 % en 2027, selon le PDG d’Apacer. C. K. Chang prévoit que les fabricants de DRAM ne pourront commercialiser l’année prochaine que 30 % du volume produit en 2026, ce qui pourrait provoquer une réduction annuelle de l’offre de 70 %. Cette prévision rejoint les récentes déclarations de Kwak Noh-jung, PDG de SK Hynix, qui annonçait des conditions encore plus difficiles après les perturbations déjà rencontrées sur le marché de la mémoire et suggérait que 2027 deviendrait la pire année de l’histoire de l’industrie en matière d’approvisionnement. The Business Times a récemment indiqué que l’offre de wafers destinés aux produits mémoire devrait progresser d’environ 12 % par an en 2027 et 2028, mais que la HBM pourrait absorber près de la moitié de cette capacité.
Samsung devrait ainsi livrer environ 12 milliards de Go de HBM en 2026, puis faire passer ce chiffre à 20 milliards en 2027. SK Hynix fournirait de son côté 18 milliards de Go en 2026 et 24 milliards en 2027. La croissance des bits de DRAM hors HBM pourrait donc se limiter à 15 % par an en 2027 et 2028, alors que la demande devrait augmenter de 22 %. Pour illustrer l’expansion des capacités, l’usine P5 Fab 1 de Samsung doit entrer en activité en juillet 2027, tandis que P5 Fab 2 et une installation supplémentaire située à Yongin commenceront leur production d’ici 2029. Chez SK Hynix, l’usine Yongin Y1 doit démarrer en février 2027, puis Y2 pendant la seconde moitié de 2028.
Dans son dernier rapport financier, SK Hynix a indiqué s’attendre à une nouvelle croissance de la demande de mémoire, non seulement pour la HBM, l’intelligence artificielle et les charges de calcul, mais également pour la DRAM de serveur destinée à soutenir l’IA agentique et pour les mémoires NAND hautes performances et de grande capacité. Ces produits devront accompagner l’expansion des services d’IA et l’augmentation rapide des volumes de données. Le seul véritable soulagement pour l’industrie de l’électronique grand public pourrait provenir du lancement commercial de la technologie 3D DRAM de CXMT, qui empile verticalement les cellules de mémoire afin d’accroître la capacité, au lieu de chercher à graver des éléments horizontaux toujours plus petits à l’aide de machines EUV.
Cette approche maximise la densité brute des bits sans exiger une nouvelle réduction de la taille des nœuds de fabrication horizontaux. Elle pourrait également augmenter considérablement la capacité de stockage disponible.
