ACTUALITÉS TECH – De nouveaux tests laissent entendre que Samsung a peut-être corrigé, avec l’Exynos 2600, le point faible qui collait aux générations précédentes: la chauffe et le bridage sous charge prolongée. Sur Galaxy S26 et Galaxy S26+, les températures de surface mesurées en jeu restent dans une zone plutôt maîtrisée.

Long Ngong, de Vật Vờ Studio, a soumis les Galaxy S26 et Galaxy S26+ à une série de tests, dont AnTuTu, 3DMark et CPU Throttling. Pour pousser l’Exynos 2600 dans ses retranchements côté thermique, il a enchaîné trois jeux d’affilée avec les réglages graphiques au maximum – League of Legends: Wild Rift, Genshin Impact et Honkai – avec une température ambiante d’environ 26°C.

Sur League of Legends: Wild Rift, le Galaxy S26 a tourné autour de 32°C en moyenne. Sur Galaxy S26+, après plus de 15 minutes de Genshin Impact, la face avant a atteint environ 38°C au maximum, tandis que l’arrière oscillait entre 37 et 37,5°C. Sur Honkai toujours sur Galaxy S26+, le FPS a parfois chuté de façon marquée, mais l’avant est monté à environ 39°C au plus haut, et l’arrière a à peine dépassé 38°C, ce qui tranche avec la réputation thermique des anciens Exynos.

This is the absolute power of HPB in the Exynos 2600 – notice how those infamous “heat bubbles” around the CPU area are gone. The thermal bottleneck of high-performance SoCs has been solved. A new era is coming lol pic.twitter.com/lYK8J5iXuA

– Lu (@luancastro_lc) February 27, 2026

Cette amélioration est attribuée à trois leviers techniques. D’abord, l’Exynos 2600 est présenté comme la première puce Samsung à exploiter un procédé 2 nm Gate-All-Around (GAA), une architecture 3D où la grille entoure complètement le canal. L’idée est d’obtenir un meilleur contrôle électrostatique, un seuil de tension plus bas et une meilleure efficacité, donc moins de chaleur à performance équivalente.

Ensuite, la puce s’appuierait sur le Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), une approche au niveau wafer plutôt que le packaging classique basé sur substrat. Le bénéfice annoncé est une empreinte plus compacte et une connexion plus directe au silicium, ce qui permet des designs plus fins et plus efficaces. Concrètement, cela revient à placer les terminaisons d’E/S hors du die et à les intégrer sur un wafer de silicium, au lieu de s’en remettre à une logique de type PCB.

Enfin, l’Exynos 2600 utiliserait le Heat Path Block (HPB), un dissipateur en cuivre en contact direct avec l’AP, avec la DRAM déplacée sur le côté. Le gain évoqué atteint jusqu’à 30% sur la résistance thermique, ce qui peut expliquer une meilleure tenue dans la durée.

Si le node 2 nm, le nouveau packaging et ce chemin thermique plus direct se cumulent comme prévu, Samsung pourrait enfin sortir du schéma où la performance s’écrase dès que la charge s’installe. Les mesures évoquées pointent, au minimum, vers une génération Galaxy S26 où le bridage thermique n’est plus une fatalité immédiate.

Forrás: WCCFTech